上海陸芯“外延結構及半導體器件”專利獲授權
2023-07-07 21:46:09 來源：集微網
(資料圖)
集微網消息，天眼查顯示，上海陸芯電子科技有限公司“外延結構及半導體器件”專利獲授權，授權公告日為7月7日，授權公告號為CN114566538B。
圖片來源：天眼查
專利摘要顯示，本發明提供了一種外延結構及半導體器件，外延結構包括：鈍化層；勢壘層，勢壘層位于所述鈍化層的一側；其中，所述勢壘層的表面包括至少一個勢壘層凹槽，至少一個勢壘層凹槽位于結構設定區域，且所述至少一個勢壘層凹槽的開口朝向鈍化層。勢壘層表面的勢壘層凹槽可以引入更多的電場集中區域，進而削弱在柵極靠近漏極的邊緣處因電場集中效應產生的峰值電場的強度，減少柵極邊緣因該峰值電場的作用變為會被陷阱俘獲的熱電子的數量，進而縮短了在半導體器件開關時陷阱的充放電時間，即縮短了半導體器件開啟和關斷的時間，提高器件的響應速度。（校對/趙碧瑩）
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