權威媒體曝光：國產28nm浸潤式光刻機，有望年底交付
眾所周知，在芯片產業鏈中，光刻機是所有設備中，比較關鍵的一個。
(資料圖片僅供參考)
最重要的是，這個光刻機技術，國內落后國際水平實在太遠了。ASML的光刻機已經實現了3nm工藝，是EUV光刻機。
而國內最先進的光刻機，還是上海微電子的SSA600系列，精度僅為90nm，連浸潤式光刻機，都研發不出來。
也正因為如此，所以ASML一直在光刻機上卡我們脖子，也讓我們的芯片制造因為缺少光刻機，而停留在成熟工藝上，邁不進10nm，以及7nm。
所以一直以來，大家都希望國產光刻機能夠突破，進入到28nm階段，因為一旦實現28nm，就意味著擁有了浸潤式光刻機，實際不僅僅是能生產28nm芯片，進行多次曝光之后，甚至有可能達到7nm。
而近日，權威媒體曝光了一個重大消息，那就是國產28nm光刻機，有望年底交付。
什么是權威媒體，當然不是一些自媒體，而是新華網這個官媒，新華網是 國家通訊社 新華社旗下的媒體，當然是非常權威的。
如下圖所示，新華網將新光刻機的型號等都公布出來了，是SSA/800-10W，并表示預計在年底國產，是一臺28nm浸沒式（浸潤式）光刻機。
而浸潤式光刻機，目前有三種 多重曝光技術，分別是LELE、LFLE、SADP，最高確實能夠生產7nm的芯片。
比如ASML目前在售的三種浸潤式光刻機，實際都能實現7nm芯片的光刻，哪怕是相對最成熟的NXE:1980Di，也可以用于7nm芯片制造。
而從普通的干式光刻機，到浸潤式光刻機，是一個質的飛躍，要知道目前全球僅ASML、尼康兩家能制造浸潤式光刻機，佳能都不行，如果我們真的能夠制造浸潤式光刻機了，這是不是一個好消息了？
甚至想的更遠一點，如果這臺28nm的光刻機，能夠制造7nm芯片，可能都會對當前的芯片禁令產生巨大的影響。
因為目前的芯片禁令，針對的邏輯芯片是14nm及以下的芯片，如果國產光刻機能夠實現7nm，這個芯片禁令或許就要被撕開一個口子了，是不是意義重大？
當然，任何東西在沒有真正量產交付之前，我們還是要持懷疑態度的，因為這個28nm光刻機的消息，傳了好幾年了，但一直只在傳說中，沒有真正見到過。
那么接下來，就只有讓我們拭目以待了，看看他到底什么時候量產交付，又能生產出多少納米的芯片。
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