走過長達一年半時間的下行通道，存儲芯片賽道有望迎來“寒氣散盡”之時。

“從7月開始，NAND上游廠商有明顯的提價意愿，部分主控芯片需求迫切。”華南一家存儲芯片代理商人士近日向記者坦言。而在現貨市場，根據機構數據顯示，從6月開始DRAM價格止跌，已經連2個月呈現持平，這是自2022年3月以來首次出現這種情況。

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市場普遍認為，主因部分產品需求出現復蘇跡象，疊加包括海力士、三星在內的存儲芯片大廠減產，過剩情況得以消解，DRAM價格有觸底的可能。業內多方似乎正逐漸形成共識，即存儲賽道周期底部已逐漸形成，三季度有望迎來拐點。

在A股市場上，多家存儲芯片上市公司股價也出現大幅上漲。截至8月1日午盤，朗科科技股價上漲11.48%，精智達漲逾10%，而同有科技也一度漲逾6%。

有現貨價格連續兩月持平

存儲芯片是半導體市場最主要的細分領域，主要分為閃存和內存，閃存包括NAND Flash和NOR Flash，內存主要為DRAM。

其中，DRAM和NAND Flash兩者的銷售額合計占整個存儲市場的97%左右。手機、服務器、PC是存儲三大終端應用，2022年四季度分別占DRAM終端應用的39%、34%、13%，以及NANDFlash的37%、28%、18%。

從2022年年初開始，受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片市場進入了下行周期。

不過，近期以來，底部特征已經逐漸明顯。根據TrendForce最新數據顯示，7月DRAM平均固定交易價格環比下跌1.47%。這一降幅較6月進一步收窄，在6月份，DRAM平均固定交易價格環比下跌2.86%。

而在現貨市場，部分DRAM產品已經止跌。根據DRAMeXchange數據，最常見的DRAM產品DDR4 16Gb 2600的現貨從6月開始價格已經止跌，已經連2個月呈現持平，這是自2022年3月以來首次出現這種情況。

實際上，記者采訪的多位業內人士也有同感。前述代理商人士告訴記者，在NAND Flash領域，上游原廠有強烈的意愿從7月開始提高價格。“目前部分NAND主控芯片需求迫切，部分型號甚至出現了供不應求的狀況，這反映了市場正在逐步回暖。”該人士稱。

另一位業內人士也對記者表示，近期部分NAND供應短缺，主要是一些工業用產品或高端應用，如UFS、PCIe產品，這正是市場反彈的信號。而在DRAM方面，該人士預計，合約價格預計將在短期內保持穩定，因為大多數上游廠商在與客戶就第三季度供應進行談判時一直在阻止降價發生。

兩大巨頭繼續削減產能

較為微妙的是，近期包括海力士、三星在內的存儲芯片巨頭，均發出較為樂觀的三季度指引。

海力士預計，Q3 DRAM出貨量預期環增 10%-15%，NAND出貨量環平，其計劃擴大176層SSD產品銷售。而三星同樣預計，DRAM銷售預計增長約15%，NAND市場出貨量增加 5-10%，而且其NAND出貨量增長略高于市場預期。

而且，兩大存儲芯片巨頭仍在持續減產。海力士表示將繼續推進減產計劃。從資本開支來看，海力士資本開支于去年三季度開始便持續下降。今年海力士資本開支同比將下降50%以上，其中由于NAND行業庫存較高且利潤率較低，NAND將進行更大幅度減產。

三星方面也稱，該公司將在今年下半年繼續削減產能。此外，為了加速存儲產品的庫存正常化，三星正選擇性的對某些DRAM和NAND產品進行額外的生產調整。同時，由于三星預計NAND市場價格的反彈時間將晚于DRAM市場，其將對NAND產品減產幅度更大。

不難看出，兩大巨頭在減產方面行動一致，這也將加速存儲市場價格企穩。

近期在A股市場上，存儲芯片行業上市公司也對后期市場走向作出研判。其中香農芯創方面表示，該公司目前部分產品下游需求和價格有所回升，公司預計存儲芯片的價格目前在底部區域，下半年價格會重回上升趨勢。

而江波龍也在機構調研中稱，自各大國際原廠紛紛宣布減產后，減產效應對下游市場產生了影響，但原廠的存儲晶圓價格策略與市場的接受程度正處于關鍵博弈階段。

高端存儲價格有望率先開漲

實際上，盡管目前行業初步出現底部特征，但機構普遍較為看好下半年的存儲市場。中航證券方面也認為，隨著國際存儲巨頭相繼宣布削減資本開支并減產，以減少行業供應，加速修復存儲市場供需平衡。

該機構認為，大廠的減產動作在下半年會逐漸顯現成效。隨著終端客戶和渠道商的庫存逐步緩解，存儲廠商拒絕再降價出售甚至詢單報價頻傳上漲，定價趨勢向好，Q3部分新一代存儲產品有望率先迎來上漲。

中信證券也認為，當前存儲價格底部明確，高端產品價格有望率先回暖。在該機構看來，隨供給側海外原廠稼動率調整效果在今年下半年逐步顯現，并且隨品牌廠商新產品發布和消費傳統旺季到來，下游需求有望逐步回暖，存儲供需關系將持續改善，帶動整體存儲價格溫和回升，高端存儲價格有望率先開啟漲勢。

需要注意的是，隨著AI服務器需求暴增，進而帶動了HBM需求（高帶寬內存），這一領域，市場屬于供不應求狀態。

HBM是一種新興的標準動態隨機訪問存儲器解決方案，旨在解決系統內存帶寬的瓶頸，其具有基于TSV和芯片堆疊技術的堆疊DRAM架構，可以實現高于256GBps的突破性帶寬，同時降低功耗。

但受制于高技術壁壘，目前全球僅海力士、三星、美光能夠穩定供應（根據TrendForce，2022 年三家份額分別為50%/40%/10%），國內企業尚處于技術儲備期。

其中，海力士二季度包括HBM在內 graphics DRAM銷售占比超20%，HBM的產能正迅速擴張（去年四季度占比僅10%），正是由于AI引發的高端服務器需求迅速增長。

而三星正向主要客戶提供HBM2與HBM2E產品，而在HBM3中，三星正在接受客戶資格認證，并計劃在今年下半年推出HBM3E產品。更為重要的是，三星計劃在2024年將HBM產能提升至2023年2倍。

民生證券認為，存儲周期拐點共識已逐漸形成，未來隨著AI帶動HBM、DDR5需求，將加速板塊上行。

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